SSD

7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы TLC, последовательный доступ: 7100/6000 МБайт/с, случайный доступ: 1150000/200000 IOps

2.5", U.2 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/3050 MBps, случайный доступ: 638000/222000 IOps

6.4 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe, U.2), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7100/4200 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/390000 IOps

7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps

2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps

3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/59000 IOps

2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Innogrit IG5666, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 13000/9500 МБайт/с, случайный доступ: 1700000/1250000 IOps, DRAM-буфер

4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Western Digital, последовательный доступ: 3400/3100 МБайт/с, случайный доступ: 550000/520000 IOps

960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps

M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps

1.6 ТБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/1325 МБайт/с, случайный доступ: 559550/176500 IOps

3.84 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3300/2900 МБайт/с, случайный доступ: 320000/280000 IOps

2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 90000/80000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/460 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Piccolo, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 700000/800000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с, случайный доступ: 87000/85000 IOps

2.5", SATA 3.0

M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3c), контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 MBps, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps