Найдено 466 товаров
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 MBps, случайный доступ: 90000/82000 IOps
1 ТБ, M.2, SATA 3.0, последовательный доступ: 560/520 MBps, случайный доступ: 90000/82000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 92000/31000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 92000/31000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4900 MBps, случайный доступ: 740000/800000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/720000 IOps, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/29000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 80000/70000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 80000/70000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 95000/11000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 95000/11000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/35000 IOps
2.5", SAS 24G, микросхемы TLC, последовательный доступ: 4150/2700 MBps, случайный доступ: 595000/265000 IOps
2.5", SAS 24G, микросхемы TLC, последовательный доступ: 4150/2700 MBps, случайный доступ: 595000/265000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 6000/5000 МБайт/с
8 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 МБайт/с, случайный доступ: 750000/650000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
8 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6300 МБайт/с, случайный доступ: 750000/650000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14600/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14600/12700 МБайт/с, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5200 MBps, случайный доступ: 1000000/850000 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
2.5", SATA 3.0, случайный доступ: 66000/52500 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса